Semiconductor devices employing ti-doped group iii-v epitaxial layer
文献类型：专利
| 作者 | DENTAI, ANDREW, GOMPERZ; JOYNER, CHARLES, HOWARD, JR. |
| 发表日期 | 1988-06-30 |
| 专利号 | WO1988004849A1 |
| 著作权人 | AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY |
| 国家 | 世界知识产权组织 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor devices employing ti-doped group iii-v epitaxial layer |
| 英文摘要 | High resistivity Ti-doped Group III-V-based MOCVD layers (20) are used to constrain current to flow through the active region (12) of a variety of device such as CSBH (10) and DCPBH lasers. |
| 公开日期 | 1988-06-30 |
| 申请日期 | 1987-12-09 |
| 状态 | 未确认 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67322]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | DENTAI, ANDREW, GOMPERZ,JOYNER, CHARLES, HOWARD, JR.. Semiconductor devices employing ti-doped group iii-v epitaxial layer. WO1988004849A1. 1988-06-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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