半導体レーザ装置の製造方法及び評価方法
文献类型：专利
| 作者 | 久 義浩 |
| 发表日期 | 1996-11-05 |
| 专利号 | JP1996293642A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法及び評価方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 高精度アライメントを必要とせず、製造コストを大幅に低減するとともに、通常仕様のオリエンテーションフラットのウエハを使用できるようにしてウエハの価格を大幅に低減する製造方法及び評価方法を提供する。 【構成】 本発明の半導体レーザの製造方法は、ウエハ1上に複数の導波路3を形成し、導波路3に沿った分離溝4及び導波路3と垂直方向の導波路端面形成溝12を形成して、レーザ光出射面13とレーザ光反射面14とを有する複数のレーザ素子7と、レーザ光反射面14と対向したフォトダイオード17を配設し、絶縁膜を兼ねた低反射率コーティング膜15と高反射率コーティング膜16を成膜する工程を有するものである。 |
| 公开日期 | 1996-11-05 |
| 申请日期 | 1995-04-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67323]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 久 義浩. 半導体レーザ装置の製造方法及び評価方法. JP1996293642A. 1996-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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