半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鶴岡 清貴; 加藤 友章; 佐藤 健二; 須藤 信也; 岡本 健志; 水谷 健二; 森本 卓夫 |
| 发表日期 | 2010-05-13 |
| 专利号 | JP2010109215A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】製造効率に優れ、光損失が低減した異機能領域を有するモノリシック半導体光集積素子、および、その製造方法を提供する。 【解決手段】半導体光集積素子は、同一基板401に一方向に連続して配列された互いに機能が異なる第一領域、第二領域、および第三領域を有し、基板401に、光導波路層と上部クラッド層とが順次積層された層構造を有し、上部クラッド層を含むリッジRが形成され、光導波路層は、第一領域に設けられた光導波路層403、および、第二、第三領域にわたって設けられた光導波路層406で構成され、光導波路層403と光導波路層406とが第一領域と第二領域との界面において接合し、上部クラッド層は、第一、第二領域にわたって設けられた上部クラッド層409、および、第三領域に設けられた上部クラッド層412で構成され、上部クラッド層409と上部クラッド層412とが、第二領域と第三領域との界面において接合している。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-05-13 |
| 申请日期 | 2008-10-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67330]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鶴岡 清貴,加藤 友章,佐藤 健二,等. 半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法. JP2010109215A. 2010-05-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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