半導体レーザ素子および半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 土井 健嗣 |
| 发表日期 | 2000-05-12 |
| 专利号 | JP2000133875A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子および半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 制御性よく端面近傍に窓構造を形成し、高出力なAlGaInP系可視光半導体レーザを高歩留りで提供することにある。 【解決手段】 半導体基板(210)上に自然超格子が形成された活性層(110)と、この活性層を間に挟む一対のクラッド層(120,130)とを備えた半導体レーザにおいて、レーザ構造を作製した後に半導体レーザの共振器端面の少なくとも一方にZnO膜を形成するだけで加熱処理をしないで端面近傍の自然超格子を無秩序化することにより窓型半導体レーザを作製する。もしくは共振器端面の少なくとも一方をエッチドミラーで形成し、そのミラー端面にZnO膜を形成した後、電極形成前に加熱処理することにより窓型半導体レーザを作製する。これにより、制御性よく端面近傍に窓構造が形成でき、高出力なAlGaInP系可視光半導体レーザを高歩留りで提供することができた。 |
| 公开日期 | 2000-05-12 |
| 申请日期 | 1998-10-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67331]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 土井 健嗣. 半導体レーザ素子および半導体レーザの製造方法. JP2000133875A. 2000-05-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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