半導体光素子および製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 伊賀 龍三; 松本 信一; 湯田 正宏; 門田 好晃 |
| 发表日期 | 1996-04-30 |
| 专利号 | JP1996111565A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子および製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 漏れ電流の発生を防止する構造のメサストライプ領域を有する素子特性の良い半導体光素子およびこれを容易に作製し得る製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 半導体基板1上に活性層2、クラッド層3およびコンタクト層4を順次積層し、絶縁体マスク5を通してエッチングを行ってメサストライプ領域Mを形成する。マスク5を除去し、半絶縁性高抵抗半導体からなる電流阻止層6をメサストライプ領域Mを挟む両側部に少なくともコンタクト層4の高さを上回る層厚分で形成する。メサストライプ領域Mおよびその周辺部を露出する半導体マスク7を通してコンタクト層4上の電流阻止層6に対してエッチングを施し、コンタクト層4を底面とし、電流阻止層6を側面とした溝構造を形成する。この溝構造の側面である電流阻止層6を絶縁体8で被覆し、コンタクト層4上に電極10を形成する。 |
| 公开日期 | 1996-04-30 |
| 申请日期 | 1994-10-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67332]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊賀 龍三,松本 信一,湯田 正宏,等. 半導体光素子および製造方法. JP1996111565A. 1996-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。