化学気相成長装置
文献类型：专利
| 作者 | 河合 弘治; 榎本 昌久 |
| 发表日期 | 1999-01-19 |
| 专利号 | JP1999012085A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化学気相成長装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaN系化合物半導体のエピタキシャル成長において、良質の結晶を得るための最適化されたガス組成や成長条件を実現することができる化学気相成長装置を提供する。 【解決手段】 円筒部と上部につば状の上板部が設けられた複数のガス通路壁9〜12をほぼ等しい間隔で中心軸O-Oを共通にして配置して、第1のガスライン14〜第4のガスライン17を構成し、それらの水平流路の中間部分に中心軸O-Oと同心の円周上にガス狭窄部10a〜13aを設ける。ガス通路壁9の上板部の一部を構成する回転円環板20の1つの円周上に、天板支持部7aと基板加熱部7bとからなるサセプタ7を設置し、中心軸O-Oの回転駆動系3により公転可能に構成する。その上方にサセプタ7のみを加熱する、円環状の石英管ランプ30とランプハウス31とからなる加熱装置6を、取り付けおよび取り外し可能な天板5の一部を構成する石英製で円環状の光通過板5aを介して設ける。ガス排気部2の排気ガス通路の中間部分の中心軸O-Oと同心の円周上に、排気ガス狭窄部40を設ける。 |
| 公开日期 | 1999-01-19 |
| 申请日期 | 1997-06-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67334]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河合 弘治,榎本 昌久. 化学気相成長装置. JP1999012085A. 1999-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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