分布帰還型半導体レーザ及びその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 水谷 夏彦 |
| 发表日期 | 1997-07-22 |
| 专利号 | JP1997191158A |
| 著作权人 | CANON INC |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ及びその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】ホールバーニング効果による共振器内の屈折率の軸方向空間的変動を打ち消す構造を有する分布帰還型半導体レーザ装置の作製工程を簡略化することである。 【解決手段】基板101上に活性層104と光ガイド層105をエピタキシャル成長し、この上に所定の周期の並列ストライプ溝g1を形成する。一部の領城の並列ストライプ溝の凹部のみをフォトレジスト110で覆い、そのフォトレジストをマスクとして基板をエッチングすることで並列ストライプ溝の凹凸の位相を反転させる。このとき、位相非反転部分をフォトレジストで覆わないことで、この部分の光ガイド層厚をエッチングで薄くする。また、位相非反転部分をフォトレジスト、第4の材料で覆うことで、この部分の光ガイド層をエッチングせず、位相反転領域のガイド層厚を相対的に薄くしてもよい。 |
| 公开日期 | 1997-07-22 |
| 申请日期 | 1996-01-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67337]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | CANON INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 水谷 夏彦. 分布帰還型半導体レーザ及びその作製方法. JP1997191158A. 1997-07-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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