半導体光増幅器及び光ゲートスイッチ
文献类型：专利
| 作者 | 井本 克之; 鈴木 良治 |
| 发表日期 | 2000-08-11 |
| 专利号 | JP2000223793A |
| 著作权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光増幅器及び光ゲートスイッチ |
| 英文摘要 | 【課題】 スイッチング速度が速く、偏波依存性が少ない半導体光増幅器及び光ゲートスイッチを提供する。 【解決手段】 基板20上に略矩形断面形状の活性層34が略逆凹字断面形状の上部クラッド層35で覆われ、上部クラッド層35が低誘電率、低屈折率の酸化層26及びポリマ層27で覆われているので、寄生容量が小さくなり、高速のスイッチング特性が得られる。また、活性層34の厚さ方向及び幅方向の光強度分布の広がりを略一様に大きくすることができるので、偏波依存性を抑えることができる。 |
| 公开日期 | 2000-08-11 |
| 申请日期 | 1999-01-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67343]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井本 克之,鈴木 良治. 半導体光増幅器及び光ゲートスイッチ. JP2000223793A. 2000-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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