面発光型半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 森 克己; 近藤 貴幸; 金子 丈夫 |
| 发表日期 | 1997-01-17 |
| 专利号 | JP1997018084A |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 近視野像での2点の発光スポット間隔に対して、遠視野像でのエネルギーピーク間隔を任意に変更することができる面発光型半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。 【構成】 半導体基板102上には、第1,第2の反射ミラー103,111及びその間の多層の半導体層104,105,106,109により構成される光共振器が設けられる。多層の半導体層のうち第2クラッド層106、コンタクト層109が複数本の柱状部分114a,114bに形成される。第2の反射ミラー111の表面には、一方の柱状部分114bと対向する一部領域に、空気と屈折率が異なる材質にて形成された位相シフタ層115が設けられている。 |
| 公开日期 | 1997-01-17 |
| 申请日期 | 1995-06-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67345]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 克己,近藤 貴幸,金子 丈夫. 面発光型半導体レーザ及びその製造方法. JP1997018084A. 1997-01-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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