窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 奥村 敏之 |
| 发表日期 | 1998-11-13 |
| 专利号 | JP1998303505A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 面内分布が小さく、かつ、良好な発光特性を有する窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 気相成長法により、窒化物半導体からなるクラッド層及び/又はガイド層に挟まれた、少なくともインジウムとガリウムを含む窒化物半導体からなる量子井戸構造活性層を形成する際の基板の厚さを、50μm以上180μm以下とする。 |
| 公开日期 | 1998-11-13 |
| 申请日期 | 1997-04-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67348]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥村 敏之. 窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法. JP1998303505A. 1998-11-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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