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反射体およびこれを用いた光半導体装置並びにそれらの製造方法

文献类型:专利

作者石井 光男; 山本 陽祐; 大島 功; 田中 芳和; 長谷川 和義; 永井 精一
发表日期1999-04-30
专利号JP1999121863A
著作权人三菱電機株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名反射体およびこれを用いた光半導体装置並びにそれらの製造方法
英文摘要【課題】 反射体を用いた光ディスクへの書き込み、読み取り等の光情報処理に用いる光半導体装置に関し、反射面の平坦性に優れたSi単結晶基板からなる反射体および該反射体を用いた光半導体装置を提供する。 【解決手段】 研磨された平滑なSi単結晶基板表面を反射面とし、かかる基板表面に対して45°の角度を有して形成されたエッチング面を底面とする反射体を用いる。
公开日期1999-04-30
申请日期1997-10-21
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67349]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱電機株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
石井 光男,山本 陽祐,大島 功,等. 反射体およびこれを用いた光半導体装置並びにそれらの製造方法. JP1999121863A. 1999-04-30.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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