DFBレーザ素子の回折格子の形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 細井 洋治 |
| 发表日期 | 1994-09-09 |
| 专利号 | JP1994252503A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | DFBレーザ素子の回折格子の形成方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 回折格子の高さが設計通りの高さである、DFBレ-ザ素子の回折格子のの形成方法を提供すること。 【構成】 n-InP基板30の上側に、アンド-プのMQW層32、p-InGaAsP導波路層34およびp-InPキャップ層36を順に形成する。次に、キャップ層36上に、ホトレジストパタ-ン38を形成し、これをエッチングマスクとして、臭素系のエッチング液を用いて、キャップ層36及び導波路層34に対してエッチングを行い、回折格子40を形成する。次に、ホトレジストパタ-ンを除去後、回折格子40上にキャップ層36と同じ材質からなるp-InPクラッド層42を成長させる。このとき、残存キャップ層44が保護層となるので、回折格子40の形状を保存することができる。 |
| 公开日期 | 1994-09-09 |
| 申请日期 | 1993-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67352]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細井 洋治. DFBレーザ素子の回折格子の形成方法. JP1994252503A. 1994-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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