化合物半導体表面の安定化方法、それを用いた半導体レーザ素子の製造方法、および半導体レーザ素子等の半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 渡辺 昌規 |
| 发表日期 | 2001-02-23 |
| 专利号 | JP2001053374A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体表面の安定化方法、それを用いた半導体レーザ素子の製造方法、および半導体レーザ素子等の半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 表面上の硫黄が蒸着などの影響で脱離しないように、硫黄上に溶液処理によって薄い硫化物による安定化膜を形成した化合物半導体を提供する。 【解決手段】 化合物半導体1を、硫黄イオンを含む溶液に浸漬した後、硫黄と反応して硫化物を生じる陽イオンを含む溶液に浸漬する。これらの浸漬工程により、化合物半導体1の表面に硫黄層1と硫化物層4を積層形成する。 |
| 公开日期 | 2001-02-23 |
| 申请日期 | 2000-03-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67356]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡辺 昌規. 化合物半導体表面の安定化方法、それを用いた半導体レーザ素子の製造方法、および半導体レーザ素子等の半導体素子. JP2001053374A. 2001-02-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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