半導体発光素子における電極の形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 野添 誠; 小林 祐二 |
| 发表日期 | 2000-07-28 |
| 专利号 | JP2000208816A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRONICS INDUSTRY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子における電極の形成方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 透光性を持つ基板を半導体発光素子の製造において露光の反射光を有効に利用することで製品歩留りの向上と信頼性の高い電極が得られる電極の形成方法の提供。 【解決手段】 透光性のサファイアを基板1aとしてその表面にn型層1b,p型層1cを形成しこれらにそれぞれ電極を形成するに際し、基板1aを搭載面側として光反射性のステージ2上に搭載し、電極形成のためのレジスト膜3を被膜した後の露光工程において、ステージ2へ透過した光の反射散乱を利用してレジスト膜3をこの反射光によって露光し、現像後にアンダーカットが付与されたレジスト3aを得る。 |
| 公开日期 | 2000-07-28 |
| 申请日期 | 1999-01-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67361]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRONICS INDUSTRY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野添 誠,小林 祐二. 半導体発光素子における電極の形成方法. JP2000208816A. 2000-07-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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