AlGaAs系半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 石田 真也; 渡辺 昌規 |
| 发表日期 | 1998-12-18 |
| 专利号 | JP1998335735A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | AlGaAs系半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 p型クラッド層のn反転を防ぎ、動作電流の少ない半導体レーザ素子を得る。 【解決手段】 n型基板上に、少なくとも、Siドープn型クラッド層、活性層、第1のZnドープp型クラッド層、及び電流ブロック層をMOCVD法により成長させ、前記電流ブロック層にストライプ状の溝を形成した後、第2のp型クラッド層を再成長させた半導体レーザ素子であって、前記電流ブロック層はSeドープn型第1電流ブロック層と、Siドープn型第2電流ブロック層とが順に形成されてなることによる。 |
| 公开日期 | 1998-12-18 |
| 申请日期 | 1997-05-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67362]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石田 真也,渡辺 昌規. AlGaAs系半導体レーザ素子. JP1998335735A. 1998-12-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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