液相エピタキシャル成長装置および成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 天野 利昌; 中野 純一 |
| 发表日期 | 1993-06-22 |
| 专利号 | JP1993155683A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 液相エピタキシャル成長装置および成長方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 大基板成長時において1ミクロン以下の成長層を含む多層成長、装置全体の大型化の軽減を実現し、以って良質大型多層結晶成長を低装置価格、低ランニングコストにより得ることのできる液相エピタキシャル成長装置および成長方法を提供すること。 【構成】 スライダー方式の液相エピタキシャル成長装置において、溶液ホルダー9に設けられた複数個の溶液溜11〜15の少なくとも1個以上がそのスライド方向前方縁とスライド方向X後方縁をスライド方向Xと直角に形成し、かつその幅をスライダーに設けられた結晶基板敷置用凹部10’のスライド方向Xの寸法よりも小さく作られていることを特徴とする。また、結晶原料溶液と結晶基板とが接触している間は、溶液溜部分で停止させることなく結晶基板を通過するようにさせて成長を行うことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1993-06-22 |
| 申请日期 | 1991-12-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67368]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 天野 利昌,中野 純一. 液相エピタキシャル成長装置および成長方法. JP1993155683A. 1993-06-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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