InGaPの表面処理方法および半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 後藤 修; 中島 徹人; 堀川 英明 |
| 发表日期 | 1996-05-21 |
| 专利号 | JP1996130204A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | InGaPの表面処理方法および半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 再成長面として好適な平坦なInGaPの表面が得られる表面処理方法の提供。 【構成】 p-InGaPクラッド層16の表面に対して、塩酸と純水とが2対1の体積比で混合されたエッチング液を以って、第2回目の平坦化エッチングを5秒間行う。次に、当該表面に対してフッ酸処理を行うことにより、表面の酸化物の除去を図る。 |
| 公开日期 | 1996-05-21 |
| 申请日期 | 1994-10-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67372]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 修,中島 徹人,堀川 英明. InGaPの表面処理方法および半導体レーザの製造方法. JP1996130204A. 1996-05-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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