半導体発光素子の高出力化方法、多重量子井戸構造および半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 宗像 務; 鹿島 保昌 |
| 发表日期 | 1998-09-25 |
| 专利号 | JP1998256659A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の高出力化方法、多重量子井戸構造および半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 InGaAs層、InGaAsP層またはInGaAlAs層をウエル層25bとして含む多重量子井戸構造25を具えた半導体発光素子を、高出力化するための方法を提供する。 【解決手段】 バリア層25aをInGaAlAs(歪み量0%、λ=4μm、厚さが10nm)で構成し、ウエル層25bをInGaAs層(圧縮歪み0.6%、λ=92μm、厚さ6nm)で構成する。 |
| 公开日期 | 1998-09-25 |
| 申请日期 | 1997-03-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67379]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宗像 務,鹿島 保昌. 半導体発光素子の高出力化方法、多重量子井戸構造および半導体発光素子. JP1998256659A. 1998-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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