III族窒化物半導体素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 難波江 宏一 |
| 发表日期 | 2009-03-19 |
| 专利号 | JP2009059740A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】結晶欠陥や不純物が極めて少ない高品質な結晶が実現され、高性能かつ高信頼なIII族窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】基板(GaN基板101)と、III族窒化物半導体層(n型GaN層102、n型クラッド層104、n型光閉じ込め層106)とから構成され、リッジ部140が設けられた構造体の上部に、レーザー構造をなす多層膜が積層されている。リッジ部140は、(0001)面を有する頂面と、側面と、頂面と、側面とを結ぶ斜面とにより形成され、側面と斜面とのそれぞれの面方位の組み合わせが、(a)側面が{1-100}面、斜面が{1-101}面または(b)側面が{11-20}面、斜面が{11-22}面のいずれかである。リッジ部140の斜面及び側面の少なくともいずれか一方に発光領域が形成されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-03-19 |
| 申请日期 | 2007-08-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67386]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 難波江 宏一. III族窒化物半導体素子およびその製造方法. JP2009059740A. 2009-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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