Halbleiterbauelement
文献类型：专利
| 作者 | GOTOH HIDEKI; INOUE YUICHI; SHIMOYAMA KENJI |
| 发表日期 | 1994-03-24 |
| 专利号 | DE4331037A1 |
| 著作权人 | MITSUBISHI KASEI CORP. TOKIO/TOKYO JP |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Halbleiterbauelement |
| 英文摘要 | In a process for fabricating a semiconductor laser by forming a double-heterostructure made up of a first cladding layer, an active layer and a second cladding layer on a semiconductor substrate at the first growth step, forming protecting films for selective growth on both sides of a striped region for current injection, without etching the second cladding layer, and growing a third cladding layer and a contact layer for current injection at a second growth step, the second cladding layer formed at the first growth step is grown to the thickness required for achieving laser characteristics. |
| 公开日期 | 1994-03-24 |
| 申请日期 | 1993-09-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67390]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI KASEI CORP. TOKIO/TOKYO JP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | GOTOH HIDEKI,INOUE YUICHI,SHIMOYAMA KENJI. Halbleiterbauelement. DE4331037A1. 1994-03-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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