半導体レーザ素子の形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 中西 寿美代; 三宅 輝明; 中島 健二; 岩本 学; 河本 清時; 長尾 泰志; 宮田 譲 |
| 发表日期 | 2008-08-14 |
| 专利号 | JP2008186828A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の形成方法 |
| 英文摘要 | 【課題】水平方向の光放射角、および、発光点間隔の両方の制御性を向上させることが可能な半導体レーザ素子の形成方法を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ素子の形成方法は、GaAs基板1上に、発光層13、エッチングストップ層15、および、p型第2クラッド層16を含む第1半導体レーザ素子部10を形成する工程と、GaAs基板上1に、発光層23、エッチングストップ層25、および、p型第2クラッド層26を含む第2半導体レーザ素子部20を形成する工程と、エッチングにより、第1半導体レーザ素子部10および第2半導体レーザ素子部20に、それぞれ、リッジ部16aおよび26aを形成する工程とを備えている。また、第1半導体レーザ素子部10を形成する工程は、p型第2クラッド層16を、p型第2クラッド層26の厚みよりも小さい厚みに形成する工程を含んでいる。 【選択図】図10 |
| 公开日期 | 2008-08-14 |
| 申请日期 | 2007-01-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67396]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中西 寿美代,三宅 輝明,中島 健二,等. 半導体レーザ素子の形成方法. JP2008186828A. 2008-08-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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