半導体装置の製法
文献类型：专利
| 作者 | 須郷 満; 倉持 栄一; 天明 二郎; 西谷 昭彦 |
| 发表日期 | 1996-03-08 |
| 专利号 | JP1996064906A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製法 |
| 英文摘要 | 【目的】 ウインド構造の劈開端面のレーザを精度良く製作すること。 【構成】 端面を劈開面としている半導体層を有する半導体装置の製法において、半導体層をエッチングにより溝を形成し、ついでこの溝に沿って劈開を行う半導体装置の製法。 |
| 公开日期 | 1996-03-08 |
| 申请日期 | 1994-08-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67405]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須郷 満,倉持 栄一,天明 二郎,等. 半導体装置の製法. JP1996064906A. 1996-03-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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