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半導体素子及びその製造方法、並びに半導体素子製作用マスク

文献类型:专利

作者高橋 敏幸; 柳ケ瀬 雅司; 今本 浩史
发表日期1996-02-27
专利号JP1996056017A
著作权人OMRON CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体素子及びその製造方法、並びに半導体素子製作用マスク
英文摘要【構成】 (100)面方位の基板21の上に形成され、[010]方向及び[001]方向にアイソレート溝33を形成され、さらにアイソレート溝33でカットされた半導体チップ35において、p側電極29の角部を三角形状に面取りする。 【目的】 アイソレートエッチング時に半導体チップの角部が削れることにより、p側電極が垂れて素子を短絡させるのを防止する。
公开日期1996-02-27
申请日期1994-08-09
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67408]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位OMRON CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
高橋 敏幸,柳ケ瀬 雅司,今本 浩史. 半導体素子及びその製造方法、並びに半導体素子製作用マスク. JP1996056017A. 1996-02-27.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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