分布帰還型半導体レーザダイオード
文献类型：专利
| 作者 | 渡辺 斉 |
| 发表日期 | 2000-03-03 |
| 专利号 | JP2000068590A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザダイオード |
| 英文摘要 | 【課題】 複雑なプロセスを用いることなく製造することができ、かつ安定した単一縦モード発振が可能な分布帰還型半導体レーザダイオードを提供する。 【解決手段】 P型クラッド層とN型クラッド層との間に、活性層と回折格子層とを備えた分布帰還型半導体レーザダイオードであって、回折格子層は位相シフト部を含む第1領域と該第1領域の両側に位置する第2領域とからなり、第1領域の周期を第2領域の周期より長くした。 |
| 公开日期 | 2000-03-03 |
| 申请日期 | 1998-08-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67411]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡辺 斉. 分布帰還型半導体レーザダイオード. JP2000068590A. 2000-03-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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