半導体レーザの評価方法及び半導体レーザウェハ
文献类型：专利
| 作者 | 榊原 靖 |
| 发表日期 | 1994-05-31 |
| 专利号 | JP1994152073A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの評価方法及び半導体レーザウェハ |
| 英文摘要 | 【目的】 オンウェハで光出力-電流特性等の評価を可能とできる半導体レーザの評価方法を提供する。 【構成】 半導体レーザウェハを、評価するレーザ素子12の共振器端面前方に該レーザ素子幅方向に配列された複数のホトダイオード3を備えた構造として、レーザ素子をオンウェハで駆動して評価を行なうようにした。 |
| 公开日期 | 1994-05-31 |
| 申请日期 | 1992-10-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67421]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 榊原 靖. 半導体レーザの評価方法及び半導体レーザウェハ. JP1994152073A. 1994-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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