3-5族化合物半導体用電極の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 家近 泰; 小野 善伸; 高田 朋幸 |
| 发表日期 | 1997-01-10 |
| 专利号 | JP1997008356A |
| 著作权人 | SUMITOMO CHEM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 3-5族化合物半導体用電極の製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】ドライエッチングを行なった際のエッチングダメージを回復させ、電流注入特性が優れた3-5族化合物半導体用電極を製造する。 【構成】3-5族化合物半導体をドライエッチングし、次に不活性雰囲気中で400℃以上で熱処理し、次に電極を形成する工程を有する3-5族化合物半導体用電極の製造方法。3-5族化合物半導体をドライエッチングし、次にリン酸と硫酸とを含む溶液にて処理し、次に電極を形成する工程を有する3-5族化合物半導体用電極の製造方法。ドライエッチングが、稀ガス、ハロゲン元素を含む分子又はこれらの混合ガスを用いる。 |
| 公开日期 | 1997-01-10 |
| 申请日期 | 1995-06-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67422]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO CHEM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 家近 泰,小野 善伸,高田 朋幸. 3-5族化合物半導体用電極の製造方法. JP1997008356A. 1997-01-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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