ZnSeホモエピタキシャル単結晶膜の製造法
文献类型：专利
| 作者 | 永田 長寿; 梅津 一之; 佐川 徹; 西野 勇 |
| 发表日期 | 1996-08-27 |
| 专利号 | JP1996217599A |
| 著作权人 | 同和鉱業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ZnSeホモエピタキシャル単結晶膜の製造法 |
| 英文摘要 | 【目的】 ZnSe単結晶基板を用いてLPE法、MOCVD法、MBE法等でホモエピタキシャル成長させてZnSe単結晶膜を成長させる方法における熱ダメージによる欠陥を排除して良質なZnSe単結晶膜を形成すること。 【構成】 ZnSeの融点前後で育成する融液成長法ZnSe単結晶体をエピタキシャル基板として用い、その上にZnSe単結晶膜をホモエピタキシャル成長させて膜表面が図1に示されるような連続した膜を得る。 |
| 公开日期 | 1996-08-27 |
| 申请日期 | 1995-02-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67429]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 同和鉱業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 永田 長寿,梅津 一之,佐川 徹,等. ZnSeホモエピタキシャル単結晶膜の製造法. JP1996217599A. 1996-08-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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