GaN基板、使用其之磊晶基板及半導體發光元件
文献类型：专利
| 作者 | 秋田勝史 |
| 发表日期 | 2009-02-16 |
| 专利号 | TW200907125A |
| 著作权人 | 住友電氣工業股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN基板、使用其之磊晶基板及半導體發光元件 |
| 英文摘要 | 本發明之GaN基板30,其成長面30a為相對於m面或者a面具有偏離角(off angle)之面。該GaN基板30中,成長面30a為具有偏離角之m面或者a面。由於該等m面及a面為非極性面,故於使用該GaN基板30製作半導體發光元件60時,能夠避免壓電場之影響,而實現高發光效率。並且,本發明者等新穎地發現,藉由對該等m面或者a面設置偏離角,可實現高品質之形態。其結果,可使利用該GaN基板所製作之半導體發光元件60進一步提昇發光效率。 |
| 公开日期 | 2009-02-16 |
| 申请日期 | 2008-05-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67435]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電氣工業股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秋田勝史. GaN基板、使用其之磊晶基板及半導體發光元件. TW200907125A. 2009-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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