半導体レーザ装置及びその動作方法
文献类型：专利
| 作者 | 国井 達夫; 加藤 幸雄; 村井 仁 |
| 发表日期 | 1997-03-11 |
| 专利号 | JP1997069666A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその動作方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 チャープグレーティングを有する半導体レーザ装置と同様の特性を具える半導体レーザ装置を、製造効率を劣化することなく得る方法とその装置。 【解決手段】 下部電極10の上にn-InPクラッド層12があり、n-InPクラッド層12の導波路領域16が形成される部分には、一定のピッチのグレーティングが形成されており、そのグレーティング上に導波路領域16が形成される。n-InPクラッド層12のグレーティングが形成されていない部分には、活性領域14が形成されて、活性領域14と導波路領域16とから共振器32がなる。共振器32の上にp-InPクラッド層18があり、その上にキャップ層20がある。活性領域14の上方のキャップ層20の部分に、上部電極22があり、導波路領域16の上方のキャップ層20の部分に、絶縁膜24がある。そして、絶縁膜24の上に、抵抗加熱膜H1、H2、H3が形成される。 |
| 公开日期 | 1997-03-11 |
| 申请日期 | 1995-09-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67438]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 国井 達夫,加藤 幸雄,村井 仁. 半導体レーザ装置及びその動作方法. JP1997069666A. 1997-03-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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