ストライプの形成にドライエツチングを使用する埋込みストライプ半導体レーザの製造方法及びこの方法によつて得られるレーザ
文献类型：专利
| 作者 | ヌールデイーヌ ブアダマ |
| 发表日期 | 1993-04-02 |
| 专利号 | JP1993082915A |
| 著作权人 | フランス テレコム エタブリスマン オートノンドゥ ドロワ ピューブリック (サントル ナシォナル デチュード デ テレコミュニカシォン) |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ストライプの形成にドライエツチングを使用する埋込みストライプ半導体レーザの製造方法及びこの方法によつて得られるレーザ |
| 英文摘要 | 【構成】 本発明の方法によると、第1のエピタキシャル成長によって基板(20)上に第1のドーピング形を有する第1のクラッド層(22)、活性層(24)及び保護層(28)を堆積させてヘテロ構造を形成し、アルゴン、メタン及び水素の気体混合物を使用する反応性イオンビームエッチング方法によって、上記保護層及び上記活性層を上記第1のクラッド層まで下方にエッチングして、該活性層からストライプ(32)を形成し、第2のエピタキシャル成長によって上記第1のドーピング形と反対の第2のドーピング形を有する半導体層に上記ストライプ(36)を埋込む。 【効果】 光通信に適用される。 |
| 公开日期 | 1993-04-02 |
| 申请日期 | 1992-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67442]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | フランス テレコム エタブリスマン オートノンドゥ ドロワ ピューブリック (サントル ナシォナル デチュード デ テレコミュニカシォン) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ヌールデイーヌ ブアダマ. ストライプの形成にドライエツチングを使用する埋込みストライプ半導体レーザの製造方法及びこの方法によつて得られるレーザ. JP1993082915A. 1993-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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