変調器付半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 西村 隆司 |
| 发表日期 | 1994-06-24 |
| 专利号 | JP1994177364A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 変調器付半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 変調器部分とレーザ分を一括成長でき、かつ変調器とレーザとの不純物濃度を独立に制御し構造の最適化を図る。 【構成】 基板11の、レーザ領域を形成すべき領域に第1導電型のドーパントを選択的に高濃度ドープし、基板11上にレーザ領域及び変調器領域の第1導電型クラッド層14,活性層16,及び第2導電型クラッド層17を順次結晶成長させて、結晶成長時の基板からの上記ドーパントのオートドーピングを利用して上記レーザ領域の第1導電型のクラッド層の不純物濃度を上記変調器領域の第1導電型のクラッド層の不純物濃度よりも高く形成するようにした【効果】 変調器とレーザの構造最適化を可能とできる。 |
| 公开日期 | 1994-06-24 |
| 申请日期 | 1992-12-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67445]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西村 隆司. 変調器付半導体レーザの製造方法. JP1994177364A. 1994-06-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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