半導体レーザ形光増幅素子
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 敏夫; 三富 修; 吉本 直人; 曲 克明 |
| 发表日期 | 1999-04-23 |
| 专利号 | JP1999112073A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ形光増幅素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 入力信号光の偏波状態が変動しても、ゲイン特性が変動しにくい半導体レーザ形光増幅素子を容易に形成できるようにする。 【解決手段】 クラッド層102上で、活性層103の導波方向両端に、活性層103端部に接続してテーパ導波路103aを備える。このテーパ導波路103aは、例えば、バンドギャップ波長3μmのInGaAsPから構成する。そして、このテーパ導波路103aは、活性層103との接合部より離れるにしたがって、膜厚が薄くなるように形成する。 |
| 公开日期 | 1999-04-23 |
| 申请日期 | 1997-10-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67453]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 敏夫,三富 修,吉本 直人,等. 半導体レーザ形光増幅素子. JP1999112073A. 1999-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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