半導体装置およびその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮永 昭治; 大谷 久; 竹村 保彦 |
| 发表日期 | 1999-06-22 |
| 专利号 | JP1999168220A |
| 著作权人 | 株式会社半導体エネルギー研究所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置およびその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、周辺回路領域と画画素領域とを同一基板上に必要とする結晶性を有したTFTを形成した構成を提供する。 【解決手段】 同一基板上に結晶性珪素膜を用いて周辺回路用のTFTと画素領域用のTFTを形成する。この結晶性珪素膜は非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素(例えばニッケル)を導入し加熱によって結晶化させる。この際、周辺回路領域と画素領域とでは必要とする結晶性が異なるので、周辺回路領域と画素領域とでニッケルの導入量を選択的に変化させる。 |
| 公开日期 | 1999-06-22 |
| 申请日期 | 1993-12-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67457]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社半導体エネルギー研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮永 昭治,大谷 久,竹村 保彦. 半導体装置およびその作製方法. JP1999168220A. 1999-06-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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