化合物半導体単結晶エピタキシャル基板および該基板よりなる半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 山本 ▲みつ▼夫; 山本 知生; 中野 純一 |
| 发表日期 | 1994-03-29 |
| 专利号 | JP1994090062A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体単結晶エピタキシャル基板および該基板よりなる半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 InP単結晶基板上に、エピタキシャル成長法により形成した多重量子井戸構造を有した特性の優れた長波長帯半導体レーザ用単結晶エピタキシャル基板を提供する。 【構成】 多重量子井戸構造の井戸層としてInAsyP1-y三元混晶を用い、井戸層数に応じて、障壁層を基板の格子定数と整合させるか、より小さな格子定数を持たせたIn1-xGaxAsyP1-y混合から構成するか、障壁層を多層のIn1-xGaxAsyP1-y混晶から構成し、基板から井戸層間ではバンドギャップを基板から井戸層へ徐々に小さくし、井戸層からクラッド層間ではバンドギャップを井戸層からクラッド層へ徐々に大きくした。 |
| 公开日期 | 1994-03-29 |
| 申请日期 | 1992-09-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67463]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 ▲みつ▼夫,山本 知生,中野 純一. 化合物半導体単結晶エピタキシャル基板および該基板よりなる半導体レーザ素子. JP1994090062A. 1994-03-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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