面発光型半導体発光素子およびその製造方法
文献类型:专利
作者 | 速水 一行; 渡辺 秀明 |
发表日期 | 1993-04-23 |
专利号 | JP1993102605A |
著作权人 | OMRON CORP |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 面発光型半導体発光素子およびその製造方法 |
英文摘要 | 【目的】 製造工程が容易で,微小発光径を有し,低オーミック抵抗,高出力の面発光型半導体発光素子を提供する。 【構成】 活性層3の上部にp-AlGaAs上部クラッド層4,n-AlGaAsブロック層5およびp-AlGaAsキャップ層6を順次堆積することによりpn電流阻止層を形成し,その上面の一部分にλ/(4n)の厚さを有するZn拡散源(無反射コート)7Aを形成し,この拡散源7Aの下の上部クラッド層4にまで達する電流注入領域(Zn拡散領域)10を形成し,最後に拡散源7Aを除いた上面全体および下面全体にそれぞれ電極8,9を蒸着する。 |
公开日期 | 1993-04-23 |
申请日期 | 1991-10-07 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67472] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | OMRON CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 速水 一行,渡辺 秀明. 面発光型半導体発光素子およびその製造方法. JP1993102605A. 1993-04-23. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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