半導体光集積デバイスおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ▲濱▼本 貴一; 佐々木 達也 |
| 发表日期 | 1996-01-19 |
| 专利号 | JP1996018147A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光集積デバイスおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】内部損失の低減及び量産性の向上を目的とする。 【構成】n-InP半導体基板上1に少なくとも、アンドープInGaAsP半導体ガイド層、InP埋め込み層が積層され、前記アンドープInGaAsPガイド層が、受動光デバイス領域8では15μm組成アンドープInGaAsP導波層3で、能動光デバイス領域9では3μm組成アンドープInGaAsP活性層4であり、かつ、光伝搬方向に連続して形成されており、InP埋め込み層が、受動光デバイス領域ではアンドープInP埋め込み層5であり、能動光デバイス領域ではp-InP埋め込み層6で構成される。 |
| 公开日期 | 1996-01-19 |
| 申请日期 | 1994-06-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67481]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲濱▼本 貴一,佐々木 達也. 半導体光集積デバイスおよびその製造方法. JP1996018147A. 1996-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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