面発光レーザとその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 舘野 功太; 大礒 義孝; 植之原 裕行; 香川 俊明 |
| 发表日期 | 2000-12-19 |
| 专利号 | JP2000353858A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光レーザとその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 長波長帯での発振が可能で、単一横モード動作が可能で、膜厚が薄く、信頼性が高く、作製が容易な面発光レーザを提供すること。 【解決手段】 活性層11とそれを半導体埋込成長した構造の上下に、半導体層24/半導体層25の上部多層半導体層26と、半導体層3/半導体層4の下部多層半導体層5を有する。上部多層半導体層26を一部の半導体層/半導体層を残して半導体層24を光導波部まで取り除き、下部多層半導体層5も一部の半導体層/半導体層を残して半導体層3を光導波部まで取り除き、各々空気層24a/半導体層25DBR構造、空気層3a/半導体層4のDBR構造とする。 |
| 公开日期 | 2000-12-19 |
| 申请日期 | 1999-06-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67487]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 舘野 功太,大礒 義孝,植之原 裕行,等. 面発光レーザとその作製方法. JP2000353858A. 2000-12-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。