進行波型半導体光増幅装置
文献类型：专利
| 作者 | 森戸 健 |
| 发表日期 | 2000-09-08 |
| 专利号 | JP2000244074A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 進行波型半導体光増幅装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 進行波型半導体光増幅装置に関し、基本モード条件を維持しながら、活性層幅の変化に対する偏波間の光閉じ込め係数比ΓTE/ΓTMの変化の穏やかな範囲を広くする。 【解決手段】 引張歪を導入したバルク結晶からなる歪バルク活性層1を有し、光入射端面と光出射端面との間における反射による光の共振を抑制し、歪バルク活性層1のバンド·ギャップ波長とほぼ等しい波長の信号光を光入射端面から入射し、歪バルク活性層1に電流注入して誘導放出効果により信号光を増幅し、光出射端面から増幅した信号光を出射する進行波型半導体光増幅装置の歪バルク活性層1の層厚方向に垂直な二つの面をそれぞれ単一のクラッド層2,3で挟む。 |
| 公开日期 | 2000-09-08 |
| 申请日期 | 1999-02-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67496]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森戸 健. 進行波型半導体光増幅装置. JP2000244074A. 2000-09-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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