発光素子および結晶成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 伸洋; 菅原 秀人 |
| 发表日期 | 1999-07-09 |
| 专利号 | JP1999186602A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 発光素子および結晶成長方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 サファイア基板のバッファ層上にn-GaN、n-AlxGa1-xN(0xGa1-xN(04、及びキャリアガス等を流して膜厚4umのn型GaN層を成長させ基板の温度を保ったまま上記のキャリアガス等を流して膜厚350nmのn型Al0.15Ga0.85N層14を成長させる。In系のInGaNバッファ層は混晶が軟らかく、AlGaNクラッド層を、Al組成15[%]膜厚350nmとしても、GaN層にクラックが入らず窒化ガリウム系化合物半導体を製造できる。 |
| 公开日期 | 1999-07-09 |
| 申请日期 | 1997-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67498]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 伸洋,菅原 秀人. 発光素子および結晶成長方法. JP1999186602A. 1999-07-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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