集積型半導体レーザ素子及びその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 西本 浩之; 下中 淳 |
| 发表日期 | 1998-11-24 |
| 专利号 | JP1998311921A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 集積型半導体レーザ素子及びその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザと光導波路とを一体成形する集積型半導体レーザ素子では、半導体レーザ素子のレーザ出射位置と光導波路との高さ合わることが困難であり、そのため結合効率が小さくなるという問題があった。 【解決手段】 本発明では、半導体レーザ部と光導波路部を一体成形した集積型半導体レーザ素子において、光導波路部は半導体からなる壁面で囲まれた中空構造であり、前記光導波路部が前記半導体レーザ部のレーザ光の出射端面に直接形成することによって、高効率の集積型半導体レーザ素子を提供する。 |
| 公开日期 | 1998-11-24 |
| 申请日期 | 1997-05-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67499]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西本 浩之,下中 淳. 集積型半導体レーザ素子及びその作製方法. JP1998311921A. 1998-11-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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