波長可変半導体レーザ及びその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 中西 正浩 |
| 发表日期 | 1994-07-15 |
| 专利号 | JP1994196822A |
| 著作权人 | CANON INC |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 波長可変半導体レーザ及びその作製方法 |
| 英文摘要 | 【目的】p型およびn型領域を作製する方法に制約がなく、素子を集積する場合に、素子間の電気的アイソレーションを取るのが容易な構造を持つ波長可変半導体レーザである。 【構成】高抵抗基板1上に、同じく高抵抗材料のクラッド層2-1、2-2によって上下を挟まれた活性層3が積層されている。この積層構造に、層方向にp型及びn型領域6、7が設けられ、活性層3にキャリア注入可能な半導体レーザ構造になっている。このレーザ構造の一部領域は、活性層1近傍に回折格子5構造を有する。回折格子5が作製されている領域と回折格子5が作製されていない領域とは、p型およびn型領域6、7から活性層3に流れる電流を独立に制御可能な構造となっている。 |
| 公开日期 | 1994-07-15 |
| 申请日期 | 1992-12-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67507]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | CANON INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中西 正浩. 波長可変半導体レーザ及びその作製方法. JP1994196822A. 1994-07-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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