発光素子用エピタキシャルウエハおよび発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 柴田 憲治; 柴田 真佐知; 金田 直樹; 今野 泰一郎; 塚本 孝信 |
| 发表日期 | 2000-11-02 |
| 专利号 | JP2000307148A |
| 著作权人 | 日立電線株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 発光素子用エピタキシャルウエハおよび発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 クロスハッチの発生を防ぐことによってウインドウ層への凹凸の発生とウインドウ層の電気伝導度の低下を防止することにより、光出力の高い発光素子用エピタキシャルウエハとこれを使用した発光素子を提供する。 【解決手段】 n型GaAsの基板1の上にAlGaInPの発光層6を形成し、これにp型GaPのウインドウ層8を形成したエピタキシャルウエハにおいて、発光層6とウエハ層8の間に中間層7を介在させ、この中間層7の格子定数を、発光層6からウインドウ層8にかけて発光層6の格子定数のレベルからウインドウ層8の格子定数のレベルまで変化させた構成とする。 |
| 公开日期 | 2000-11-02 |
| 申请日期 | 1999-04-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67511]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立電線株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柴田 憲治,柴田 真佐知,金田 直樹,等. 発光素子用エピタキシャルウエハおよび発光素子. JP2000307148A. 2000-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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