窒化物系化合物半導体の成長方法及び半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 内田 憲治 |
| 发表日期 | 1998-02-03 |
| 专利号 | JP1998032370A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系化合物半導体の成長方法及び半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物系化合物半導体層の成長において、表面モフォロジを低下させること無く、高密度で均一な柱状結晶化を行い基板結晶軸に対し均一に配向した低欠陥密度の半導体層を成長させること。 【解決手段】 六方晶構造の結晶基板上に窒化物系化合物半導体層からなるバッファ層を成長した後、その層上に誘電体膜を形成して熱処理を行いバッファ層を柱状結晶化し、さらに誘電体膜を除去した後にバッファ層上に窒化物系化合物半導体を再成長する。バッファ層上の窒化物系化合物半導体層で発光ダイオード構造やレーザ共振器構造を形成する場合、その組成は(AlxGa1-x)1-yInyN(但し、0≦x≦1、0≦y≦1)とするとよい。 【効果】 柱状結晶化時のバッファ層表面からの窒素の分解、脱離が抑制できるため、表面状態を悪化させることなく高密度な柱状結晶化が可能となる。 |
| 公开日期 | 1998-02-03 |
| 申请日期 | 1996-07-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67512]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 憲治. 窒化物系化合物半導体の成長方法及び半導体装置. JP1998032370A. 1998-02-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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