活性層吸収型パルセーション半導体レーザダイオードとその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤原 正敏; 門脇 朋子; 柴田 公隆 |
| 发表日期 | 1998-09-25 |
| 专利号 | JP1998256652A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 活性層吸収型パルセーション半導体レーザダイオードとその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 パルス周波数等のパルス特性を、他のレーザ発振特性と独立して所定の値に設定することができる活性層吸収型パルセーション半導体レーザダイオードを提供する。 【解決手段】 半導体基板とクラッド層の間に設けられた活性層と、上記クラッド層上に形成されたリッジ部とを備え、上記活性層の該リッジ部直下の発振領域に電流を注入してレーザ発振を開始させ、活性層中の該発振領域の両側の光吸収領域で光を吸収させて発振を停止させることを繰り返すことにより、所定の周波数でパルスレーザ発振をする活性層吸収型パルセーション半導体レーザダイオードであって、上記光吸収領域におけるエネルギーバンドギャップを上記発振領域におけるエネルギーバンドキャップより小さくし、該エネルギーバンドギャップ間の差に対応した周波数でパルスレーザ発振させた。 |
| 公开日期 | 1998-09-25 |
| 申请日期 | 1997-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67517]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤原 正敏,門脇 朋子,柴田 公隆. 活性層吸収型パルセーション半導体レーザダイオードとその製造方法. JP1998256652A. 1998-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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