半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置
文献类型：专利
| 作者 | 足立 秀人; 木戸口 勲; 上山 智; 上野山 雄; 萬濃 正也; 福久 敏哉 |
| 发表日期 | 1999-12-24 |
| 专利号 | JP1999354895A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 特に半導体レーザを構成する可飽和吸収層やスペーサ層のドーピングの程度や厚さを適切に設定することによって、安定な自励発振特性を有する高信頼性の半導体レーザを提供する。 【解決手段】 本発明の半導体レーザ装置は、n型GaAsからなる基板201と、活性層204と、活性層204を挟む一対のクラッド層と、を含む。装置は、更に、活性層204に隣接したスペーサ層205と、高ドープ可飽和吸収層206と、を含む。可飽和吸収層206に高ドープすることにより、キャリア寿命が短縮されて、安定した自励発振が得られる。その結果、広い温度範囲に渡って低い相対雑音強度を有する半導体レーザ装置が得られる。 |
| 公开日期 | 1999-12-24 |
| 申请日期 | 1996-03-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67518]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 足立 秀人,木戸口 勲,上山 智,等. 半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置. JP1999354895A. 1999-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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