半導体結晶、半導体発光装置及びそれらの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ▲柳▼澤 浩徳; 田中 俊明 |
| 发表日期 | 1995-08-18 |
| 专利号 | JP1995221389A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体結晶、半導体発光装置及びそれらの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】結晶性が改善され、p型キャリア濃度を向上したII-VI族化合物半導体結晶を有する半導体発光装置を提供すること。 【構成】面方位が(100)面から[011]方向、[0-1-1]方向、[01-1]方向又は[0-11]方向に、0度を越え、54.7度以下の範囲で傾いている半導体傾角基板1の上に設けられた、II族元素とVI族元素から構成される混晶半導体のエピタキシャル成長からなる第1クラッド層2、多重量子井戸活性層4等から形成された半導体発光素子を有する半導体発光装置。 |
| 公开日期 | 1995-08-18 |
| 申请日期 | 1994-02-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67533]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲柳▼澤 浩徳,田中 俊明. 半導体結晶、半導体発光装置及びそれらの製造方法. JP1995221389A. 1995-08-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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