p型窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 簗嶋 克典; 橋本 茂樹; 朝妻 庸紀; 池田 昌夫 |
| 发表日期 | 1998-04-28 |
| 专利号 | JP1998112438A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | p型窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 結晶欠陥の少ない良質のp型窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法を提供する。 【解決手段】 本発明方法を実施するMOCVD装置10は、基板Wを保持するサセプタ12を内部に有する反応管14と、TMG(トリエチルガリウム)を収容し、水素ガスによるバブリングにより供給ライン18を経由して反応管14にTMGガスを供給するバブラー20Aを備えている。反応管14内に基板Wを設置し、1000℃に昇温し、次いで、水素ガスをバブラー20Aに供給することによりTMGガスを反応管14に導入し、p型ドーパントとして炭素原子が導入されたGaN:C結晶を基板Wの上にエピタキシャル成長させた。この結果、結晶欠陥の少ない良質のGaN:C結晶が得られた。 |
| 公开日期 | 1998-04-28 |
| 申请日期 | 1996-10-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67542]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 簗嶋 克典,橋本 茂樹,朝妻 庸紀,等. p型窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法. JP1998112438A. 1998-04-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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