半導体光機能素子とその製造方法および電界吸収型光変調器集積半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 高橋 博之; 中村 幸治; 久保田 宗親 |
| 发表日期 | 2009-12-17 |
| 专利号 | JP2009295879A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光機能素子とその製造方法および電界吸収型光変調器集積半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】素子抵抗を小さくすることができ、低反射率を得ることが可能な半導体光機能素子とその製造方法および電界吸収型光変調器集積半導体レーザを提供する。 【解決手段】本発明に係る半導体光機能素子10では、所定波長の光を射出する半導体レーザ部11と、半導体レーザ部と同一基板上に形成され、側面が所定の曲率で湾曲した逆メサ形状の光導波路17を有する電界吸収型変調部13と、を設けた。本発明によれば、逆メサ形状を有する導波路を形成することにより素子抵抗を小さくすることができ、かつ、逆メサ形状を有する導波路の側面が湾曲しているため、端面での反射戻り光が導波路に再入射しなくなり、反射率の低減が可能となる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-12-17 |
| 申请日期 | 2008-06-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67558]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高橋 博之,中村 幸治,久保田 宗親. 半導体光機能素子とその製造方法および電界吸収型光変調器集積半導体レーザ. JP2009295879A. 2009-12-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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