半導体光素子接合構造及びその接合部の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 竹内 博昭 |
| 发表日期 | 1997-04-15 |
| 专利号 | JP1997102649A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子接合構造及びその接合部の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 導波型半導体素子相互を接続する突き合わせ結合部の作製を行う半導体光素子接合部の構造及び製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板100上に半導体積層構造101を形成すると共に該半導体積層構造101と接する上部半導体層102を形成して、第1の導波型半導体素子103を形成してなり、上部半導体層102の一部に絶縁膜104を形成し、上部半導体層102の絶縁膜104で覆われていない部分をエッチングし、上部半導体層102に対して半導体積層構造101のみを選択にエッチングするエッチング液を用いて、上部半導体層102が一部エッチングされた第1の導波型半導体素子103をエッチングして庇形状Hを形成してなり、且つ第2のエッチング工程によりエッチングされた第1の導波型半導体素子103が形成されている半導体基板100上面側及び前記庇形状Hの上部半導体層102の裏面側に第2の導波型半導体素子の結晶110a,110bを成長して第2の導波型半導体素子110を形成し、半導体素子相互を接続してなる。 |
| 公开日期 | 1997-04-15 |
| 申请日期 | 1995-10-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67561]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 博昭. 半導体光素子接合構造及びその接合部の製造方法. JP1997102649A. 1997-04-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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