結晶基板の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 酒井 士郎; 和田 直樹 |
| 发表日期 | 1994-08-19 |
| 专利号 | JP1994232045A |
| 著作权人 | 徳島大学長 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 結晶基板の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 第1の結晶基板上にその結晶と格子定数および熱膨張係数が異なる第2、3の結晶基板を形成し、その第3の結晶基板上に半導体素子を形成する場合に、その素子の動作を妨げる転位および歪応力を減少させ素子の良好な動作を得るための、転位密度の低いかつ歪応力の少ない第3の結晶基板を得ることを目的とする。 【構成】 第一の結晶基板となるSi基板1の上に、選択エッチング層2を介して第二の結晶基板であるGaAsエピタキシャル層3を形成する。次にそのGaAs層3にエッチング溝部4を形成して、前記選択エッチング層2の一部のみ部分的にエッチングにより除去する。この時露呈したSi基板上にSiO2 被膜層6を形成した後、前記GaAs層3上に、第三の結晶基板となるGaAsエピタキシャル層5を再成長させる。 |
| 公开日期 | 1994-08-19 |
| 申请日期 | 1992-01-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67564]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 徳島大学長 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 酒井 士郎,和田 直樹. 結晶基板の製造方法. JP1994232045A. 1994-08-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。